کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540742 | 871339 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of stamp deformation on residual layer homogeneity in thermal nanoimprint lithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This work studies the relation between the residual layer thickness and the patterned area size, fill factor and stamp thickness for identical stamps with opposite polarity (positive and negative) made in silicon and nickel. Important and different variations in the homogeneity of the residual layer are obtained in comparison with the values predicted by the theory. This will help to optimize stamp designs and choose appropriate process setups and parameters for nanoimprint with improved pattern transfer capability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 9, September 2008, Pages 1892–1896
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 9, September 2008, Pages 1892–1896
نویسندگان
S. Merino, A. Retolaza, A. Juarros, H. Schift,