کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540817 | 871344 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of process parameters on circuit performance for the 32 nm technology node
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
As IC dimensions scale down to the 32 nm technology node, interconnect is more than ever the most limiting factor affecting overall circuit performance. The influence of all involved process parameters were studied as a function of target application through electromagnetic and time domain simulations, and compared to the impact of driver characteristics. As a result, an optimization of the BEOL stack was performed to propose process and material recommendations meeting electrical specifications for most circuit applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 11, November 2007, Pages 2738–2743
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 11, November 2007, Pages 2738–2743
نویسندگان
A. Farcy, M. Gallitre, V. Arnal, M. Sellier, L. Guibe, B. Blampey, C. Bermond, B. Fléchet, J. Torres,