کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541374 | 871463 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Damascene TiN–Gd2O3-gate stacks: Gentle fabrication and electrical properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we present MOS capacitors and field effect transistors with a crystalline gadolinium oxide (Gd2O3) gate dielectric and metal gate electrode (titanium nitride) fabricated in a gentle damascene gate last process. Details of the gate last process and initial results on MOS devices with equivalent oxide thicknesses (EOT) of 3.0 nm and 1.5 nm, respectively, are shown.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 12, December 2011, Pages 3393–3398
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 12, December 2011, Pages 3393–3398
نویسندگان
Ralf Endres, Tillmann Krauss, Frank Wessely, Udo Schwalke,