کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541380 | 871463 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principles study of GaAs(0 0 1)-β2(2 × 4) surface oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Oxygen atom adsorption on GaAs(0 0 1)-β2(2 × 4) during initial surface oxidation is studied by density functional theory (DFT). The results show that one or two oxygen atom adsorption at back-bond sites satisfy the bond saturation conditions leading to no effect on the surface gap states. However, for an oxygen replacement of an As dimer atom at trough site or row site As dimer atoms, an As–As bond is broken. Mid gap states are produced leading to the Fermi level pining due to the unsaturated As dangling bonds.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 12, December 2011, Pages 3419–3423
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 12, December 2011, Pages 3419–3423
نویسندگان
Weichao Wang, Geunsik Lee, Min Huang, Robert M. Wallace, Kyeongjae Cho,