کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541490 | 1450395 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
EUV laser produced plasma source development
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper describes the development of a LPP EUV source using a CO2 laser with tin droplet targets. Burst power of 100 W and average power of 25 W has been achieved. Collector mirrors have been fabricated with >50% reflectivity and show stable EUV images. Multiple debris mitigation techniques preserve mirror reflectivity. Manufacturing of the first production systems is in progress.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 4–6, April–June 2009, Pages 509–512
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 4–6, April–June 2009, Pages 509–512
نویسندگان
Nigel R. Farrar, David C. Brandt, Igor V. Fomenkov, Alex I. Ershov, Norbert R. Bowering, William N. Partlo, David W. Myers, Alexander N. Bykanov, Georgiy O. Vaschenko, Oleh V. Khodykin, Jerzy R. Hoffman, Christopher P. Chrobak,