کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5417424 | 1506917 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical study of methanethiol adsorbed on GaAs(100) surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The adsorption sites and structure of methanethiol as radical on GaAs(100) reconstructed surface was studied. The new parameterized PM6 semiempirical methodology was used. The radical molecule results in a stable on Top configuration, binding covalently to As atom on the GaAs surface. The S-As bond length optimized was 2.32Â Ã
. The bond order S-C tends to decrease when the molecule is adsorpted on the surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Molecular Structure: THEOCHEM - Volume 906, Issues 1â3, 30 July 2009, Pages 72-77
Journal: Journal of Molecular Structure: THEOCHEM - Volume 906, Issues 1â3, 30 July 2009, Pages 72-77
نویسندگان
Marcia Saavedra, Antonio Buljan, Miguel Muñoz,