کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541879 | 1450399 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of silicide contacts to SiGe source/drain
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
NiPt (10% Pt) and Pt were investigated as alternatives to Ni for contact formation to SiGe source/drain. The germanosilicide phase formation and morphology were studied by means of sheet resistance measurements, XRD (X-ray diffraction) analysis and SEM (scanning electron microscopy) inspection. From isochronal and isothermal anneals it is found that NiPt- and Pt-germanosilicide have better thermal stability compared to Ni-germanosilicide. NiPt-germanosilicide degrades morphologically, while still in the monogermanosilicide phase.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issues 11â12, NovemberâDecember 2006, Pages 2268-2271
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issues 11â12, NovemberâDecember 2006, Pages 2268-2271
نویسندگان
A. Lauwers, M.J.H. van Dal, P. Verheyen, O. Chamirian, C. Demeurisse, S. Mertens, C. Vrancken, K. Verheyden, K. Funk, J.A. Kittl,