کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5419929 | 1395113 | 2016 | 28 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface physics of semiconducting nanowires
ترجمه فارسی عنوان
فیزیک سطح نانوسیمهای نیمه هادی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نانوسیمهای نیمه هادی، فیزیک سطح دوپینگ مولکولی، حسگرهای شیمیایی، تشخیص زیستی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
In this article we discuss the most salient features of surface physics and chemistry in group-IV semiconducting nanowires, focusing mostly on Si NWs. First we review the state-of-the-art of NW growth to achieve a smooth and controlled surface morphology. Next we discuss the importance of a proper surface passivation and its role on the NW electronic properties. Finally, stressing the importance of a large surface-to-volume ratio and emphasizing the fact that in a NW the surface is where most of the action takes place, we discuss molecular sensing and molecular doping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Surface Science - Volume 91, Issue 1, February 2016, Pages 1-28
Journal: Progress in Surface Science - Volume 91, Issue 1, February 2016, Pages 1-28
نویسندگان
Michele Amato, Riccardo Rurali,