کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5420482 1507504 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spin-lattice relaxation in aluminum-doped semiconducting 4H and 6H polytypes of silicon carbide
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Spin-lattice relaxation in aluminum-doped semiconducting 4H and 6H polytypes of silicon carbide
چکیده انگلیسی
► Spin-lattice relaxation of semiconducting silicon carbide. ► Aluminum doping gives spin-lattice relaxation without significant site specificity. ► Similar hole density at all sites. ► Contrast of aluminum doping and nitrogen doping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Nuclear Magnetic Resonance - Volumes 45–46, July–September 2012, Pages 45-50
نویسندگان
, , , , , ,