کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5420482 | 1507504 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spin-lattice relaxation in aluminum-doped semiconducting 4H and 6H polytypes of silicon carbide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Spin-lattice relaxation of semiconducting silicon carbide. ⺠Aluminum doping gives spin-lattice relaxation without significant site specificity. ⺠Similar hole density at all sites. ⺠Contrast of aluminum doping and nitrogen doping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Nuclear Magnetic Resonance - Volumes 45â46, JulyâSeptember 2012, Pages 45-50
Journal: Solid State Nuclear Magnetic Resonance - Volumes 45â46, JulyâSeptember 2012, Pages 45-50
نویسندگان
J. Stephen Hartman, Bob Berno, Paul Hazendonk, Philip Hens, Eric Ye, Alex D. Bain,