کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426354 | 1395888 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen related point defects in silicon based layers: Si(·)H and SiOOH
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Layers prepared by pulsed TEA CO2 pulsed laser ablation (PLA) of SiO and SiO2 targets in helium were exposed to hydrogen and deuterium atmosphere up to several kPa. The deposited layers were investigated by FTIR, EPR and XP spectroscopy. Among various Si species silyl radical Si(·)H (Si(·)D) at 2166 (1568) cmâ1-H(I) center-and silyl hydroperoxide SiOOH (SiOOD) at 3587 (2648) cmâ1 were identified in FTIR spectra. Chemical pathways for production of these species are discussed. Experimental results are supported by quantum chemical calculations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 7, 1 April 2006, Pages 1462-1467
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 7, 1 April 2006, Pages 1462-1467
نویسندگان
Vladislav DÅÃnek, Karel Vacek, Gleb Yuzhakov, ZdenÄk Bastl, Sergej Naumov,