کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543052 | 871618 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impurity controlled excitations in doped quantum dot exposed to periodic external perturbation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the excitation behavior of a repulsive impurity doped quantum dot under the influence of an oscillatory external electric field. We have considered Gaussian impurity centers doped at on-center position. The investigation reveals that a variation in the strength and spatial stretch of the dopant causes maximization and minimization in the average excitation rate, respectively. The findings are expected to have important applications involving quantum dot nanodevices.
Figure optionsDownload as PowerPoint slide
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 11, November 2011, Pages 3306–3311
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 11, November 2011, Pages 3306–3311
نویسندگان
Nirmal Kr Datta, Debashis Konar, Manas Ghosh,