کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543096 | 871628 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High density, low leakage Back-End 3D capacitors for mixed signals applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
ITRS 2018 compliant capacitors have been developed with low-cost anodic Ta2O5 material. High capacitance values and very low leakages have been obtained on low thermal budget capacitors fabricated with a CMOS-compatible process. High densities in the order of 10 fF/μm2 and very low leakages down to 10−7 A/cm2 at 10 V have been measured electrically. All these features, combined with a high breakdown voltage superior to 37 V and linearity coefficient down to 82 ppm/V, make such capacitors great candidates for both analog precision and decoupling applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 12, December 2010, Pages 2571–2576
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 12, December 2010, Pages 2571–2576
نویسندگان
M. Detalle, M. Barrenetxea, P. Muller, G. Potoms, A. Phommahaxay, P. Soussan, K. Vaesen, W. De Raedt,