کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543194 | 871638 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A maskless laser-write lithography processing of thin-film transistors on a hemispherical surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the design and fabrication methods for a hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin-film transistors (TFTs) on a non-planar substrate using laser-write lithography (LWL). Level-to-level alignment with a high accuracy is demonstrated using LWL method. The fabricated a-Si:H TFT exhibits a field-effect mobility of 0.27 cm2/V s, threshold voltage of 4.9 V and on/off current ratio of ∼6 × 106 in a saturation regime. The obtained results demonstrate that it is possible to fabricate the a-Si:H TFTs and complex circuitry on a curved surface, using a well-established a-Si:H TFT technology in combination with the maskless lithography, for hemispherical or non-planar sensor arrays.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 1, January 2010, Pages 83–87
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 1, January 2010, Pages 83–87
نویسندگان
Geonwook Yoo, Hojin Lee, Daniela Radtke, Marko Stumpf, Uwe Zeitner, Jerzy Kanicki,