کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5431952 | 1508825 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and electronic structure of graphene on semiconducting Ge(110)
ترجمه فارسی عنوان
رشد و ساختار الکترونیکی گرافن در نیمه رسانای Ge (110)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
گرافن؛ نیمه هادی؛ STM؛ XPS؛ PES؛ EELS
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی
The direct growth of graphene on semiconducting or insulating substrates might help to overcome main drawbacks of metal-based synthesis, like metal-atom contaminations of graphene, transfer issues, etc. Here we present the growth of graphene on n-doped semiconducting Ge(110) by using an atomic carbon source and the study of the structural and electronic properties of the obtained interface. We found that graphene interacts weakly with the underlying Ge(110) substrate that keeps graphene's electronic structure almost intact promoting this interface for future graphene-semiconductor applications. The effect of dopants in Ge on the electronic properties of graphene is also discussed.
183
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Carbon - Volume 122, October 2017, Pages 428-433
Journal: Carbon - Volume 122, October 2017, Pages 428-433
نویسندگان
Julia Tesch, Elena Voloshina, Mikhail Fonin, Yuriy Dedkov,