کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543297 | 871649 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical simulation of spin coated P3HT organic thin film transistors with field dependent mobility and distributed contact resistance
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
P3HT thin film transistors (TFT) have been fabricated using inkjet printing technique. The present work aims at the systematic study of the impact of distributed contact resistance including field dependent mobility. The coupled analysis is not yet explored for polymer organic thin film transistors. Numerical simulations are performed to study the coupled influence of field mobility and distributed contact resistance on the FET device behavior. Considering the influence of field mobility and distributed contact resistance, simulated results are consistent with our experimental results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issue 11, November 2009, Pages 2312–2315
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issue 11, November 2009, Pages 2312–2315
نویسندگان
Abdul Khaliq, Feng Liang Xue, Kody Varahramyan,