کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543382 | 1450394 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Challenges of integration of high-κ dielectric with III–V materials (Invited Paper)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Challenges of integration of high-κ dielectric with III–V materials (Invited Paper) Challenges of integration of high-κ dielectric with III–V materials (Invited Paper)](/preview/png/543382.png)
چکیده انگلیسی
This paper gives a brief overview of some of the challenges and approaches of integration of high dielectric constant (high-κ) dielectrics with compound semiconductor materials for future high performance low power logic applications. Reviewed themes include interface passivation layer, atomic layer deposition self-cleaning effects and characterization of dielectric/III–V interfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1540–1543
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1540–1543
نویسندگان
W. Tsai, N. Goel, S. Koveshnikov, P. Majhi, W. Wang,