کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543388 | 1450394 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of interface state trap density on the characteristics of n-type, enhancement-mode, implant-free In0.3Ga0.7As MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of interface state trap density, Dit, on the device characteristics of n-type, enhancement-mode, implant-free (IF) In0.3Ga0.7As MOSFETs [1] and [2] has been investigated using a commercial drift-diffusion (DD) device simulation tool. Methodology has been developed to include arbitrary Dit distributions in the input simulation decks to more accurately fit the measured subthreshold characteristics of recently reported 1.0 μm gate length IF In0.3Ga0.7As MOSFETs [3]. The impact of interface states on a scaled 30 nm gate length IF MOSFET is also reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1564–1567
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1564–1567
نویسندگان
J. Ayubi-Moak, B. Benbakhti, K. Kalna, G.W. Paterson, R. Hill, M. Passlack, I. Thayne, A. Asenov,