کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543422 | 1450394 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of high-temperature annealing on lanthanum aluminate thin films grown by ALD on Si(1 0 0)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Amorphous lanthanum aluminate thin films were deposited by atomic layer deposition on Si(1 0 0) using La(iPrCp)3, Al(CH3)3 and O3 species. The effects of post-deposition rapid thermal annealing on the physical and electrical properties of the films were investigated. High-temperature annealing at 900 °C in N2 atmosphere leads to the formation of amorphous La-aluminosilicate due to Si diffusion from the substrate. The annealed oxide exhibits a uniform composition through the film thickness, a large band gap of 7.0 ± 0.1 eV, and relatively high dielectric constant (κ) of 18 ± 1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1696–1699
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 86, Issues 7–9, July–September 2009, Pages 1696–1699
نویسندگان
G. Congedo, S. Spiga, L. Lamagna, A. Lamperti, Yu. Lebedinskii, Yu. Matveyev, A. Zenkevich, P. Chernykh, M. Fanciulli,