کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543510 | 871663 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Vertically stacked non-volatile memory devices – material considerations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Vertically stacked non-volatile memory devices – material considerations Vertically stacked non-volatile memory devices – material considerations](/preview/png/543510.png)
چکیده انگلیسی
Properties of ZnO films grown by atomic layer deposition at low temperature are described. By selecting appropriate precursors and their pulses we obtained films with controlled electrical properties – from heavily n-type to p-type. Parameters of constructed Schottky and p–n junction are good enough for their application in a new generation of memory devices with cross-bar architecture.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 12, December 2008, Pages 2434–2438
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 12, December 2008, Pages 2434–2438
نویسندگان
M. Godlewski, E. Guziewicz, J. Szade, A. Wójcik-Głodowska, Ł. Wachnicki, T. Krajewski, K. Kopalko, R. Jakieła, S. Yatsunenko, E. Przeździecka, P. Kruszewski, N. Huby, G. Tallarida, S. Ferrari,