کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543686 | 1450396 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Towards 2–10 nm electron-beam lithography: A quantitative approach
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper deals with three important contributions to quantitative electron beam patterning in the 2–10 nm regime where typically minimal probe size is comparable to feature size. First, application of an advanced knife edge structure for accurate electron beam size measurements. Secondly, optimization of exposure procedure for optimum beam focus settings. And thirdly, investigation of the broadening effect of secondary electrons (SE) on the exposure process in the resists. The combined results provide a quantitative picture of limiting factors for the achievement of ultimate resolution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issues 5–6, May–June 2008, Pages 805–809
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issues 5–6, May–June 2008, Pages 805–809
نویسندگان
V. Sidorkin, A. van Run, A. van Langen-Suurling, A. Grigorescu, E. van der Drift,