کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543845 | 871689 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Etching characteristics of photoresist and low-k dielectrics by Ar/O2 ferrite-core inductively coupled plasmas
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have investigated the characteristics of Ar/O2 plasmas in terms of the photoresist (PR) and low-k material etching using a ferrite-core inductively coupled plasma (ICP) etcher. We found that the O2/(O2+ Ar) gas flow ratio significantly affected the PR etching rate and the PR to low-k material etch selectivity. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and HF dipping test indicated that the etching damage to the low-k material decreased with decreasing O2/(O2 + Ar) gas flow ratio.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 2, February 2008, Pages 300–303
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 2, February 2008, Pages 300–303
نویسندگان
Hyoun Woo Kim, Jong Woo Lee, Woon Suk Hwang, Beom Hoan O, Seung Gol Lee, Se-Geun Park, Joohee Kim, Duck Jin Chung, Sung Pil Chang, Young-Chang Joo, Junghoon Joo, Chin Wook Chung, Wan Jae Park, Chang-Jin Kang, Sukho Joo, Soon Oh Park, Chung-Gon Yoo,