کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543858 | 871689 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design and testing of a self-powered 3D integrated SOI CMOS system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Design and testing of a self-powered 3D integrated SOI CMOS system Design and testing of a self-powered 3D integrated SOI CMOS system](/preview/png/543858.png)
چکیده انگلیسی
A self-powering 3D integrated circuit built using an SOI CMOS process is presented. The 3D integrated circuit has three tiers connected by vertical vias through the intertier oxides. The circuit elements are a photodiode array, a charge-integrating capacitor, and a local oscillator with an output buffer, each on a separate tier. The final system size is 250 μm × 250 μm × 696 μm. Our results demonstrate the circuit as a feasible proof-of-concept 3D “system”. The photodiode array stores charge on the capacitor and powers the oscillator as designed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 2, February 2008, Pages 388–394
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 85, Issue 2, February 2008, Pages 388–394
نویسندگان
Z. Dilli, N. Goldsman, M. Peckerar, A. Akturk, G. Metze,