کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543914 | 1450397 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hot-carrier damage from high to low voltage using the energy-driven framework
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we confirm that the energy is the driving force of Hot Carrier effects. When the energy is high, the Energy-driven framework allows to retrieve Lucky Electron Model-like equations. But when the energy is lowered, high energy electrons generated by Electron-Electron Scattering become the dominant contribution to the degradation. For even lower energy Multiple Vibrational Excitation mechanism starts taking the lead.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issues 9–10, September–October 2007, Pages 1938-1942
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issues 9–10, September–October 2007, Pages 1938-1942