کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543935 | 1450397 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen vacancies in high-k oxides
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
High dielectric constant (K) gate oxides such as HfO2 have suffered from charge trapping, threshold voltage shifts and a difficulty of metal or poly-Si gates to achieve band edge work function values. We investigate how these are related to the oxygen vacancies in a series of ab-initio calculations. The O vacancy is found to correlate with optical, luminescence and charge pumping spectra. The O vacancy contributes to the Fermi level pinning effect, which limits the band edge work functions. Inhibiting motion of vacancies may allow less pinning of gate electrode work functions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issues 9–10, September–October 2007, Pages 2028-2031
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issues 9–10, September–October 2007, Pages 2028-2031