کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544031 | 871702 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mapping stress and strain in nanostructures by high-resolution transmission electron microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present the current state-of-the-art of geometric phase analysis (GPA), a technique for measuring stress and strain at the nanoscale by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The method will be illustrated with an experimental study of SiGe strained layers using the SACTEM-Toulouse, an aberration-corrected transmission electron microscope. This latest generation machine improves signal-to-noise allowing deformations to be measured to an accuracy of 0.1% at nanometre scale resolution. The relation between strain and deformation will be discussed in the light of thin film relaxation and chemical interdiffusion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 3, March 2007, Pages 460–463
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 3, March 2007, Pages 460–463
نویسندگان
M.J. Hÿtch, F. Houdellier,