کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544572 | 871770 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New generation of Self Ionized Plasma copper seed for sub 40 nm nodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: New generation of Self Ionized Plasma copper seed for sub 40 nm nodes New generation of Self Ionized Plasma copper seed for sub 40 nm nodes](/preview/png/544572.png)
چکیده انگلیسی
Two seed deposition hardware are compared in this paper: a standard Self Ionized Plasma (SIP) standard chamber and a new generation chamber allowing Cu deposition and re-sputtering simultaneously. TEM characterizations exhibits better features coverage for new seed generation thank to process fine tuning. It induces defectivity improvement and void density is reduced with new hardware. Furthermore, reliability performances are improved without degrading parametrical results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 697–700
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 5, May 2011, Pages 697–700
نویسندگان
J. Guillan, K. Haxaire, S. Chhun, E. Richard, M.C. Luche, L. Arnaud, E. Petitprez, C. Monget, D. Galpin, P. Normandon,