کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544646 | 871776 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron density of states at Ge/oxide interfaces due to GeOxGeOx formation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
An atomistic model of substoichiometric germanium oxide is generated through ab initio molecular dynamics. The resulting structure shows a predominance of threefold coordinated Ge and O atoms. We also generate substoichiometric models through bond-switching Monte-Carlo simulations, which preserve the fourfold Ge and the twofold O coordinations. These differing structures are energetically competitive. Alignment of their electron densities of states to that of GeO2GeO2 reveals that the band-gap reduction is similar for both structures, mainly occurring through a shift of the valence band edge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 4, April 2011, Pages 391–394
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 4, April 2011, Pages 391–394
نویسندگان
Jan Felix Binder, Peter Broqvist, Alfredo Pasquarello,