کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5451824 | 1513726 | 2017 | 59 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance graphene/semiconductor van der Waals heterostructure optoelectronic devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High performance graphene/semiconductor van der Waals heterostructure optoelectronic devices High performance graphene/semiconductor van der Waals heterostructure optoelectronic devices](/preview/png/5451824.png)
چکیده انگلیسی
The graphene/semiconductor optoelectronic devices are very unique as the Fermi level of graphene is highly tunable and the junction itself is located at the surface, which facilitates the enhancement of surface plasmon. We have incorporated the light manipulation techniques and physical modulation techniques and the device physics into the single solar cell unit. We have indicated that a power conversion efficiency over 30% can be achieved for this unique graphene/semiconductor heterostructure device.204
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 40, October 2017, Pages 122-148
Journal: Nano Energy - Volume 40, October 2017, Pages 122-148
نویسندگان
Shisheng Lin, Yanghua Lu, Juan Xu, Sirui Feng, Jianfeng Li,