کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545696 | 871846 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A 2D sub-threshold current model for single halo triple material surrounding gate (SHTMSG) MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the proposed work analytical modeling of single halo triple material surrounding gate (SH-TMSG) MOSFET is developed. The threshold voltage and subthreshold current has been derived using parabolic approximation method and the simulation results are analyzed. The threshold voltage roll off is reduced and it denotes the deterioration of short channel effects. The results of the analytical model are delineated and compared with MEDICI simulation results and it is well corroborated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 6, June 2014, Pages 574–577
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 6, June 2014, Pages 574–577
نویسندگان
P. Suveetha Dhanaselvam, N.B. Balamurugan,