کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5458020 1516163 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Solution-processed HfGdO gate dielectric thin films for CMOS application: Effect of annealing temperature
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Solution-processed HfGdO gate dielectric thin films for CMOS application: Effect of annealing temperature
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 731, 15 January 2018, Pages 150-155
نویسندگان
, , , , , ,