کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5458020 | 1516163 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Solution-processed HfGdO gate dielectric thin films for CMOS application: Effect of annealing temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Solution-processed HfGdO gate dielectric thin films for CMOS application: Effect of annealing temperature Solution-processed HfGdO gate dielectric thin films for CMOS application: Effect of annealing temperature](/preview/png/5458020.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 731, 15 January 2018, Pages 150-155
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 731, 15 January 2018, Pages 150-155
نویسندگان
W.D. Li, G. He, C.Y. Zheng, S. Liang, L. Zhu, S.S. Jiang,