کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5458748 1516171 2017 22 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-performance InOx/GaOx bilayer channel thin-film transistors made using persistent high-surface-energy induced by photochemical activation
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
High-performance InOx/GaOx bilayer channel thin-film transistors made using persistent high-surface-energy induced by photochemical activation
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 723, 5 November 2017, Pages 627-632
نویسندگان
, , ,