کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5460292 | 1516191 | 2017 | 29 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved reverse recovery characteristics of low turn-on voltage AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with anode edge AlON spacers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Improved reverse recovery characteristics of low turn-on voltage AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with anode edge AlON spacers Improved reverse recovery characteristics of low turn-on voltage AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with anode edge AlON spacers](/preview/png/5460292.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 703, 5 May 2017, Pages 204-209
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 703, 5 May 2017, Pages 204-209
نویسندگان
Kuang-Po Hsueh, Li-Yi Peng, Yuan-Hsiang Cheng, Hou-Yu Wang, Hsiang-Chun Wang, Hsuan-Ling Kao, Hsien-Chin Chiu,