کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548009 | 872083 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The study of δ-doped InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An enhancement-mode pseudomorphic high electron mobility transistor (E-mode pHEMT) with In0.49Ga0.51P/In0.25Ga0.75As/GaAs structure is studied in this paper. The two-dimensional device simulator, MEDICI, is used to solve the Poisson's equation and the electron/hole current continuity equations. An optimized δ-doped InGaP/InGaAs pHEMT structure is found to be superior to the conventional AlGaAs/InGaAs pHEMT. It reveals that the maximum drain-source current (IDS) goes up to 1600 mA/mm and transconductance (Gm) is 2120 mS/mm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 3, March 2007, Pages 310–315
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 3, March 2007, Pages 310–315
نویسندگان
Jia-Chuan Lin, Yu-Chieh Chen, Wei-Chih Tsai,