کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489088 | 1524351 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MOVPE growth of violet GaN LEDs on β-Ga2O3 substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report that a H2-free atmosphere is essential for the initial stage of metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) growth of GaN on β-Ga2O3 to prevent the surface from damage. A simple growth method is proposed that can easily transfer established GaN growth recipes from sapphire to β-Ga2O3 with both (â2 0 1) and (1 0 0) orientations. This method features a thin AlN nucleation layer grown below 900 °C in N2 atmosphere to protect the surface of β-Ga2O3 from deterioration during further growth under the H2 atmosphere. Based on this, we demonstrate working violet vertical light emitting diodes (VLEDs) on n-conductive β-Ga2O3 substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 478, 15 November 2017, Pages 212-215
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 478, 15 November 2017, Pages 212-215
نویسندگان
Ding Li, Veit Hoffmann, Eberhard Richter, Thomas Tessaro, Zbigniew Galazka, Markus Weyers, Günther Tränkle,