دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی + ترجمه فارسی

Critical V/III dependence of formation of high density GaSb/GaAs quantum dots grown by AP-MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Antimonides; B1. Gallium compounds; A1. Nanostructures; A1. Atomic force microscopy; A1. Surface processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Control growth orientation of semipolar GaN layers grown on 3C-SiC/(001) Si

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. GaN; B2. Semiconducting aluminium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Influence of hydrogen pre-growth flow on indium incorporation into InGaN layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1.Atomic force microscopy; A1.High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

MOVPE growth of violet GaN LEDs on β-Ga2O3 substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; B3. Light emitting diodes; B1. Oxides; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A1. Nucleation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Exploiting strain to enhance the Bi incorporation in GaAs-based III/V semiconductors using MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A1. Characterization; A1. High resolution X-ray diffraction; B1. Bismuth compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Silicon doping of semipolar (112¯2)AlxGa1−xN(0.50≤x≤0.55)

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. AlGaN; B2. Semiconducting aluminium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effect of V/III ratio on the growth of (112¯2) AlGaN by metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. AlGaN; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Zn-doping of GaAs nanowires grown by Aerotaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Arsenates; B1. Gallium compounds; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Single phase (112¯2) AlN grown on (101¯0) sapphire by metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. AlN; B2. Semiconducting aluminum compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

The impact of substrate miscut on the microstructure and photoluminescence efficiency of (0001) InGaN quantum wells grown by a two-temperature method

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Substrate; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

AlN heteroepitaxy on sapphire by metalorganic vapour phase epitaxy using low temperature nucleation layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Atomic force microscopy; A1. High resolution X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

In-situ etching of patterned GaAs/InGaP surfaces for highly efficient 975 nm DFB-BA diode lasers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Secondary ion mass spectroscopy; A1. Scanning transmission electron microscopy; A1. In-situ etching; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Site-controlled growth of indium nitride based nanostructures using metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A1. Photoluminescence; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Indium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Impact of the substrate and of the nucleation layer on the properties of AlGaN/GaN HEMTs on SiC

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Nucleation; A1. Surface structure; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High aluminium content and high growth rates of AlGaN in a close-coupled showerhead MOVPE reactor

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Growth models; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminium compounds; B2. AlGaN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Critical stack thickness; A1. Dislocations; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. InGaN quantum dots; B3. Microdisks;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

TEM investigations on growth interrupted samples for the correlation of the dislocation propagation and growth mode variations in AlGaN deposited on SiNx interlayers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Dislocations; A1. EDX; A1. Transmission electron microscopy; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B2. AlGaN; B2. SiN

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum wells as a sensitive tool for the MOVPE reactor environment

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Purifiers; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B2. Arsine; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Defect reduction in nonpolar and semipolar GaN using scandium nitride interlayers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.05.cp; 61.72.Dd; 61.72.Lk; 61.72.Nn; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Crystal structure; A1. Line defects; A1. Planar defects; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MOVPE growth of InGaAs/GaAsP-MQWs for high-power laser diodes studied by reflectance anisotropy spectroscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 42.55.Px; 61.72.Ff; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS/RDS); A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Quantum wells; B1. GaAsP; B1. InGaAs; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

The influence of coalescence time on unintentional doping in GaN/sapphire

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 71.55.Eq; 73.61.Ey; 81.05.Ea; 07.79.LhA1. Doping; A1. Defects; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Indium nitride quantum dot growth modes in metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.Kk; 68.37.PsA1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. AlGaN; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Residual stress relaxation in GaN/sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 78.30.−j; 87.80.EkA1. Raman scattering; A1. Residual stresses; A1. Focus ion beam; A1. Stresses; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of AlN by vectored flow epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Segregation and desorption of antimony in InP (0 0 1) in MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. Segregation; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. Indium antimony phosphide; B1. Indium phosphide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and characterization of BGaAs and BInGaAs epilayers on GaAs by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. BGaAs; B1. BInGaAs; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

MOVPE growth investigations of doping and ordering in AlGaAs and GaInP with reflectance anisotropy spectroscopy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.70.Fy; 61.72.Vv; A1. Doping; A1. Ordering; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. AlGaAs; B1. AlGaInP;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Pulsed epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapour phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.37.Ps; 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.10.AjA1. Characterization; A1. Optical reflectance; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; A3. Pulsed growth; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of vanadium-doped GaN by MOVPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.55.L; 78.55.C; A3. Metalorganic vapour phase epitaxy; B1. GaN; B1. Vanadium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه