کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795938 | 1524485 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of AlN by vectored flow epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth of AlN using ammonia and trimethylaluminium is reported using a novel technique, vectored flow epitaxy. The reactor is designed to pre-crack the ammonia, run at atmospheric pressure and keep the precursors spatially separated to avoid the gas-phase interaction that can lead to an involatile adduct. These three innovations have allowed the growth of high-quality AlN at over 2 μm/h with a V/III ratio of only 50:1 at very high group III efficiencies. The precursor separation also leads to a dust-free environment with no appreciable filter load even after the growth of 100 μm of material.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 328–331
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 328–331
نویسندگان
A.J. Clayton, A.A. Khandekar, T.F. Kuech, N.J. Mason, M.F. Robinson, S. Watkins, Y. Guo,