کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792460 | 1023645 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks](/preview/png/1792460.png)
چکیده انگلیسی
⺠Growth of structure containing InGaN super-lattice sacrificial layer and InGaN QD. ⺠Dislocation generation within structure due to quantum dot growth. ⺠Unexpected formation of quantum dots within super-lattice during growth. ⺠Formulation of critical stack thickness model to account for dislocation generation with QD layer growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 321, Issue 1, 15 April 2011, Pages 113-119
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 321, Issue 1, 15 April 2011, Pages 113-119
نویسندگان
H.A.R. El-Ella, F. Rol, D.P. Collins, M.J. Kappers, R.A. Taylor, E.L. Hu, R.A. Oliver,