کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792910 | 1023660 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High aluminium content and high growth rates of AlGaN in a close-coupled showerhead MOVPE reactor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High aluminium content and high growth rates of AlGaN in a close-coupled showerhead MOVPE reactor High aluminium content and high growth rates of AlGaN in a close-coupled showerhead MOVPE reactor](/preview/png/1792910.png)
چکیده انگلیسی
The growth rates and aluminium contents of AlxGa1−xN layers grown in a close-coupled showerhead reactor were investigated as a function of growth pressure and chamber height during metal-organic vapour phase epitaxy. The data show strong non-linear dependencies due to nanoparticle formation in the gas-phase. Good agreement between the experimental data and modeling results is obtained when the contribution of both Ga- and Al-containing species to the gas-phase particle formation is considered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 315, Issue 1, 15 January 2011, Pages 229–232
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 315, Issue 1, 15 January 2011, Pages 229–232
نویسندگان
J. Stellmach, M. Pristovsek, Ö. Savaş, J. Schlegel, E.V. Yakovlev, M. Kneissl,