![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
MOVPE growth and high-temperature annealing of (101¯0) AlN layers on (101¯0) sapphire
Keywords: B2 ترکیبات نیمه هادی آلومینیوم; A1. Crystal morphology; A1. Recrystallization; A3. Physical vapour deposition processes; A3. Solid phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminium compounds;