کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148391 | 1524332 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-temperature thermal annealing of nonpolar (1 0 1¯ 0) AlN layers sputtered on (1 0 1¯ 0) sapphire
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thermal annealing at high temperatures of nonpolar (1 0 1¯ 0) m-plane AlN layers directly sputtered on m-plane sapphire was investigated. The crystallinity of the layers increased with increasing annealing temperature. The full-width at half maximum of the symmetric (1 0 1¯ 0) X-ray rocking curves along [0 0 0 1]/[1 1 2¯0]AlN decreased from about 3.5/2.0° to 0.24/0.19°. The density of basal stacking faults of the annealed layers was found to decrease from â¼1 à 105 to â¼5 à 103â¯cmâ1. The annealed layers had a larger optical bandgap energy than the as-sputtered layers due to their better crystallinity and structural order.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 498, 15 September 2018, Pages 377-380
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 498, 15 September 2018, Pages 377-380
نویسندگان
Duc V. Dinh, Nan Hu, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Markus Pristovsek,