کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794000 | 1023687 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect reduction in nonpolar and semipolar GaN using scandium nitride interlayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Defect reduction in nonpolar and semipolar GaN using scandium nitride interlayers Defect reduction in nonpolar and semipolar GaN using scandium nitride interlayers](/preview/png/1794000.png)
چکیده انگلیسی
Nonpolar (1 1 2¯ 0) and semipolar (1 1 2¯ 2) GaN films were grown on sapphire by metalorganic vapour phase epitaxy using ScN interlayers of varying thicknesses. A 5 nm interlayer reduced basal plane stacking fault (BSF) densities in nonpolar films by a factor of 2 and threading dislocation (TD) densities by a factor of 100 to (1.8±0.2)×109 cm−2. An 8.5 nm interlayer reduced BSF densities in semipolar films by a factor of 5 and reduced TD densities by a factor of 200 to (1.5±0.3)×108 cm−2. Nonpolar film surface roughnesses were reduced by a factor of 20.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 12, 1 June 2009, Pages 3239–3242
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 12, 1 June 2009, Pages 3239–3242
نویسندگان
M.A. Moram, C.F. Johnston, M.J. Kappers, C.J. Humphreys,