کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5489179 1524352 2017 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InGaAsBi materials grown by gas source molecular beam epitaxy
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
InGaAsBi materials grown by gas source molecular beam epitaxy
چکیده انگلیسی
In this work, the In1−yGayAs1−xBix epilayers were optimized and grown successfully by V90 gas source molecular beam epitaxy (GSMBE). The effect of using an In0.53Ga0.47As buffer layer on the crystalline quality of In1−yGayAs1−xBix epilayers were investigated. With the buffer layer preparation, the surface RMS roughness value of 0.251 nm, a maximum electron mobility of 5700 cm2/Vs and a bulk carrier density of 2.9 × 1016 cm3 are achieved for the In1−yGayAs1−xBix epilayer with the Bi content up to 3.1%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 135-138
نویسندگان
, , , , ,