کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489186 | 1524352 | 2017 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of rocksalt Zn1âxMgxO on MgO (100) substrate by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Zn1âxMgxO films with x=0.22-0.87 were grown on MgO (100) substrates by molecular beam epitaxy at 400 and 600 °C respectively. The films containing 85% or less ZnO grow epitaxially and retain entirely the rocksalt (rs) crystal structure. The rs-Zn1âxMgxO epilayers have a tunable bandgap energy of 4.5-6.2 eV. In addition, the rs-Zn1âxMgxO epilayer grown at 600 °C exhibits a lower FWHM value of its (200) rocking curve as compared to its low- temperature counterpart. The lattice constant of rs-ZnO at ambient pressure and temperature is obtained to be 4.2766 Ã
. The sticking coefficient of Mg atoms on rs-ZMO is approximately four times higher than that of ZnO atoms regardless of the growth temperature in the range of 400-600 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 169-173
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 477, 1 November 2017, Pages 169-173
نویسندگان
M.C. Wen, S.A. Lu, L. Chang, M.M.C. Chou, K.H. Ploog,