کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489355 | 1524366 | 2017 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
LPE growth and optical characteristics of GaAs1âxSbx epilayer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A series of GaAs1âxSbx epilayers have been successfully grown on GaAs (1 0 0) substrates by liquid phase epitaxy (LPE) technique at about 550 °C. Samples with different antimony (Sb) contents have been analyzed by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD) measurement, which confirms the incorporation of Sb in the epilayers. Room temperature optical properties of GaAs1âxSbx epilayers were performed by photoluminescence (PL) and transmission spectra.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 123-127
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 123-127
نویسندگان
Yang Wang, Shuhong Hu, Wei Zhou, Yan Sun, Bin Zhang, Chao Wang, Ning Dai,