کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489375 | 1524366 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CeO2 nanocrystals and solid-phase heteroepitaxy of CeAlO3 interlayer on Al2O3(0Â 0Â 0Â 1) substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Grain growth and interfacial solid state of CeO2 nanocrystals (NCs) layer on Al2O3(0 0 0 1) substrate were examined. CeO2 NCs layer on Al2O3(0 0 0 1) was prepared by dipping method using CeO2 nanocrystals colloid solution. After heat treatment at 1000 °C in air, CeO2 NCs layer was formed on Al2O3(0 0 0 1). The CeO2 NCs sintered to form a surface layer with an interlayer of CeAlO3 after heat treatment at 950 °C in H2/Ar, leading to dense and smooth CeO2 NCs layer on Al2O3(0 0 0 1) substrate. CeAlO3 was grown via diffusion of CeO2-x (non-stoichiometric CeO2) and Al2O3, suggesting solid-phase reaction heteroepitaxy mechanism on Al2O3(0 0 0 1) single crystal substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 90-94
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 463, 1 April 2017, Pages 90-94
نویسندگان
Takashi Hattori, Masakuni Ozawa,