کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489490 | 1524362 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of high N containing GaNAs/GaP/BGaAsP multi quantum well structures on Si (0Â 0Â 1) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
GaNAs/GaP/BGaAsP-multiple quantum well heterostructures (MQWH) were deposited pseudomorphically strained on exactly oriented (0Â 0Â 1) Si-substrate plus thin GaP buffer by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). The compressive strain of the GaNAs QW material enabled N fractions as high as 16.8%. Structural analyses show that the structures exhibit high crystalline quality for moderate strain values of 0.6% to 2.2%. Room temperature PL was obtained from samples with up to 11% N with an emission wavelength of up to 1130Â nm. At low temperatures (15Â K) even layers with 15% N showed photoluminescence from the GaNAs QW expanding the emission wavelength range to 1300Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 467, 1 June 2017, Pages 61-64
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 467, 1 June 2017, Pages 61-64
نویسندگان
P. Ludewig, M. Diederich, K. Jandieri, W. Stolz,