کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6533885 | 1420637 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Efficiency limiting crystal defects in monocrystalline silicon and their characterization in production
ترجمه فارسی عنوان
کارایی محدود کردن نقص کریستال در سیلیکون تک کریستالی و خصوصیات آنها در تولید
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
چکیده انگلیسی
We also observed a very strong correlation between BMD position, measured by LST on as-grown samples, and defective areas on PERT cells localized by PL measurements. The LST measurements on heat treated samples (simulating the PERT cell process) showed the growth of BMDs in low efficiency areas. It indicates that the detection of harmful defects is possible even in the as-grown material using LST technique.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 186, November 2018, Pages 217-226
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 186, November 2018, Pages 217-226
نویسندگان
Ferenc Korsós, László Roszol, Frederic Jay, Jordi Veirman, Abdelkarim Derbouz Draoua, Mickael Albaric, Tamás Szarvas, Zoltán Kiss, Attila Szabó, István Soczó, György Nádudvari, Nicolas Laurent,