کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6534739 | 49289 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cerium oxide and hydrogen co-doped indium oxide films for high-efficiency silicon heterojunction solar cells
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های اکسید سریم و هیدروژن دوپایه ایده آل برای سلول های خورشیدی هجایی سیلیکونی با کارایی بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ناهمگونی سیلیکون، سلول خورشیدی، اکسید رسانای شفاف، اکسید هیدروژن، اکسید سریم، تحرک،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
چکیده انگلیسی
CeO2 and hydrogen co-doped In2O3 (ICO:H) films deposited by ion plating with dc arc-discharge were used as a transparent conducting oxide (TCO) electrode in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)/crystalline silicon (c-Si) heterojunction (SHJ) solar cells. Incorporating ICO:H instead of conventional Sn-doped In2O3 (ITO) films and hydrogenated In2O3 (IO:H) films, improved the fill factor (FF) and short-circuit current density (Jsc) simultaneously. The best SHJ cell (243.4Â cm2) containing ICO:H films had a conversion efficiency of 24.1%, open-circuit voltage of 745Â mV, Jsc of 38.8Â mA/cm2, and FF of 83.2% because of their high Hall mobility of 140Â cm2/VÂ s. We have clarified the following design principles for ICO:H films: (i) the Ce species substituted for In atoms acts as a donor and (ii) CeO2 and H decrease the residual strain and the contribution of the grain boundary scattering to carrier transport. This co-doping method can produce high conversion efficiencies in all solar cells containing TCO with resistive emitters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 149, May 2016, Pages 75-80
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 149, May 2016, Pages 75-80
نویسندگان
Eiji Kobayashi, Yoshimi Watabe, Tetsuya Yamamoto, Yoichi Yamada,