کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6534814 | 49294 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of InAs/GaAs1âxSbx quantum dots for applications in intermediate band solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of InAs/GaAs1âxSbx quantum dots for applications in intermediate band solar cells Investigation of InAs/GaAs1âxSbx quantum dots for applications in intermediate band solar cells](/preview/png/6534814.png)
چکیده انگلیسی
Self-assembled InAs quantum dots (QD) in a GaAs1âxSbx matrix are studied using photoluminescence. Increasing the Sb composition in the GaAs1âxSbx matrix reduces the effective band gap while lowering the valence band offset, resulting in transition from a type-I to type-II band alignment for Sb compositions above 14%. The optimized quantum dots are incorporated in an InAs/GaAs1âxSbx based p-i-n solar cell with a degenerate valence band and therefore optimum intermediate band structure. Temperature dependent external quantum efficiency measurements show an enhancement in the QDs region with increasing temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 147, April 2016, Pages 94-100
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 147, April 2016, Pages 94-100
نویسندگان
Y. Cheng, M. Fukuda, V.R. Whiteside, M.C. Debnath, P.J. Vallely, T.D. Mishima, M.B. Santos, K. Hossain, S. Hatch, H.Y. Liu, I.R. Sellers,