کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6534924 | 49299 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Combining strong interface recombination with bandgap narrowing and short diffusion length in Cu2ZnSnS4 device modeling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Combining strong interface recombination with bandgap narrowing and short diffusion length in Cu2ZnSnS4 device modeling Combining strong interface recombination with bandgap narrowing and short diffusion length in Cu2ZnSnS4 device modeling](/preview/png/6534924.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 144, January 2016, Pages 364-370
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 144, January 2016, Pages 364-370
نویسندگان
C. Frisk, T. Ericson, S.-Y. Li, P. Szaniawski, J. Olsson, C. Platzer-Björkman,